기억장치

기억장치

• 주기억장치(Main Memory): CPU와 접근 통신이 가능한 기억장치
• 보조기억장치(Auxiliary Memory): 현재는 필요하지 않은 프로그램이나 데이터를 저장하고 있다가 데이터나 프로그램을 요구하는 경우 주기억장치로 데이터를 전달하는 저장장치

성능 평가 요소

기억 용량

• Capacity
• 기억 용량의 단위는 비트를 기본으로 함
• 바이트, 단어

접근 시간

• Access Time
• 기억장치에 저장된 데이터를 읽거나 새로운 데이터를 기록하는 데 걸리는 시간
• 기억장치에 읽기 요청이 발생한 시간부터 요구한 정보를 꺼내서 사용 가능할 때까지의 시간

사이클 시간

• Cycle Time
• 연속적으로 기억장치에 접근할 때, 두 번을 접근하는데 요구되는 최소 시간
• 기억장치에 읽기 신호를 보낸 후 다시 읽기 신호를 보낼 수 있을 때까지의 시간 간격
• 반도체 기억장치와 같이 정보를 읽어도 기억장치에 정보가 그대로 남아있는 비파괴 기억장치에서는 사이클 시간과 접근 시간이 동일
  • DRAM을 제외한 반도체 소자: Cycle Time = Access Time
  • DRAM의 Cycle Time = Access Time + Refresh Time
• 자기 코어 기억장치와 같은 파괴 기억장치는 정보를 읽어 내면 저장되었던 정보가 삭제되므로 읽기 위한 접근 시간과 정보를 다시 저장하기 위한 복원 시간을 합한 시간이 사이클 시간이 됨
  • 자기 코어: Cycle Time = Access Time + Restoration Time

기억장치의 대역폭

• Bandwidth
• 기억장치가 한 번에 전송할 수 있는 비트 수 또는 저장할 수 있는 비트 수

데이터 전송률

• Data Transportation
• 기억장치에서 데이터를 읽는 과정을 수행할 때, 초당 몇 비트의 데이터가 전송되어서 읽히는가를 나타낸 것
• 단위: bps

가격

• 일반적으로 기억장치의 가격은 기억장치의 처리속도와 비례
• 컴퓨터 내부에서는 CPU의 처리속도와 보조를 맞추기 위해서는 고가의 기억장치를 사용
• 비용의 한계로 인해 대용량의 기억장치를 구비할 수 없음

기억장치의 계층적 구조

• 기억장치의 성능을 평가하는 요소들은 서로 상관관계를 가짐
• 데이터의 읽고 쓰는 속도를 향상시키기 위해서는 고가의 고속 기억장치 필요
• 많은 양의 데이터를 저장하기 위해서는 용량이 커져야 하지만 적정 비용을 위해서는 저가의 기억장치 필요
• 저가의 기억장치를 사용하면 기억장치의 접근속도는 그만큼 느려지게 됨

Low ▼ 용량 ▼ High	CPU 내의 레지스터	High ▲ 속도 & 가격 ▲ Low
	캐시기억장치 SRAM
	주기억장치 DRAM
	보조기억장치

기억장치의 분류

① 제조 재료에 따른 유형

• 반도체 기억장치
  • Semiconductor Memory
  • 반도체 물질인 실리콘(Si) 칩을 사용하여 기억장치 설계
• 자기-표면 기억장치
  • Magnetic-surface Memory
  • 자화 물질로 코팅된 표면에 정보 저장

② 데이터를 저장하는 성질에 따른 유형

• 휘발성 기억장치
  • Volatile
  • 일정한 시간이 지나거나 전원 공급이 중단되면 기억장치 내의 기록된 모든 데이터가 지워지는 기억장치
  • e.g., RAM
• 비휘발성 기억장치
  • Non-volatile
  • 전원 공급이 중단되더라도 기억장치 내의 데이터들은 지워지지 않는 저장장치
  • e.g., ROM, CD-ROM

③ 접근 방법에 따른 유형

• 순차적 접근
  • Sequential Access
  • 기억장치에 데이터가 저장되는 순서에 따라 순차적으로 접근됨
  • 접근 시간은 원하는 데이터가 저장된 위치에 따라 결정
  • 자기 테이프가 순차적 접근을 하는 대표적인 장치
• 직접 접근
  • Direct Access
  • 기억장소 근처로 이동한 다음 순차적 검색을 통해 최종적으로 원하는 데이터에 접근
  • 접근 시간은 원하는 데이터의 위치와 이전 접근 위치에 따라 결정
  • 하드 디스크가 직접 접근을 하는 대표적인 기억장치
  • 직접 접근 기억 장치(Direct Access Storage Device, DASD)
• 임의 접근
  • Random Access
  • 저장된 모든 데이터에 접근하는데 소요되는 시간이 이전의 접근 순서와는 무관하게 항상 일정한 방식
  • 반도체 기억장치(RAM, ROM)가 임의 접근을 하는 대표적인 기억장치

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메모리

• 메모리는 byte, 즉 8bit를 하나의 단위로 데이터를 저장·사용
• 컴퓨터 메모리는 워드라는 단위로 구성되어 있음
• 일반적으로 워드는 컴퓨터에 의해 한 번에 다루어지는 비트의 수를 의미
• 보통 워드는 내부의 레지스터 크기와 같음(16, 32, 64 bits)
• 메모리에서 단위 데이터의 위치를 주소라고 함
• byte가 접근 가능한 가장 작은 데이터의 단위

메모리의 기본 동작

• 쓰기 동작: 메모리의 지정된 주소에서 데이터를 꺼냄
• 읽기 동작: 메모리의 지정된 주소에 데이터를 저장
• 반드시 메모리의 주소를 지정하는 주소지정(Addressing) 동작이 수반됨
• 데이터 버스 (양방향 버스)
• 주소 버스 (단방향 버스)

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주기억장치

• 실행할 프로그램과 데이터를 저장
• CPU는 주기억장치에 저장된 프로그램에서 명령을 하나씩 제어장치로 꺼내서 해독
• 제어장치는 해독된 결과로 제어신호를 만들어 각 장치로 전달하여 동작되도록 함

구조: 쓰기 동작

• 입력장치나 보조기억장치에서 주기억장치로 입력정보 전달
• 기록회로: 입력된 프로그램과 데이터를 임시적으로 저장하였다가 기억매체에 전달
• 기억 매체: 프로그램 명령과 프로그램에서 사용될 데이터를 실제로 기억하는 기억 소자들로 구성됨
• 번지 선택 회로: 데이터가 저장될 기억 소자를 선택

구조: 읽기 동작

• 제어장치(CPU): 읽기 제어신호를 발생하고 인출될 정보가 저장된 기억소자의 위치를 지정
• 판독 회로: 해당 번지에 저장된 내용을 판독하고 외부로 출력

명령어 사이클에서 주기억장치의 동작

• 명령어 사이클: 인출-해독-실행-저장의 4단계
• 인출(Fetch): 필요한 명령어를 주기억장치에서 불러옴
  • MAR이 지시하는 주기억장치의 주소 번지에서 데이터를 읽어와서 MBR에 저장
• 저장(Store): 수행 결과를 주기억장치에 저장
  • MAR에 저장되어 있는 주소 번지에 해당하는 주기억장치 위치에 MBR에 저장되어 있는 데이터를 저장

주기억장치의 분할

• 주기억장치에 저장되는 프로그램은 응용 프로그램과 시스템 프로그램
• 응용 프로그램: 실행될 때만 주기억장치에 저장되었다가 수행이 종료되면 다른 프로그램으로 대체되거나 삭제, 전원이 꺼지면 삭제
• 시스템 프로그램: 컴퓨터가 구동되기 시작해서부터 종료될 때까지 주기억장치에 유지되어야 함
• 시스템 프로그램 영역: OS가 저장되는 곳으로 상주 구역과 비상주 구역으로 분류
  • 상주 구역: 언제라도 바로 실행될 수 있는 OS의 기본적 기능과 자주 사용되는 프로그램들이 기억되는 곳
  • 비상주 구역: 자주 사용되는 프로그램들이 아니고 필요할 때에만 보조기억장치에서 인출된 후, 저장되었다가 처리가 끝나면 다른 프로그램이 다시 그 장소를 사용 가능한 구역
• 사용자 프로그램 영역: 일반 프로그램들이 기억되는 곳이며, 시스템 프로그램의 제어에 의해 동작
  • 여러 부분으로 분할하고 독립된 프로그램들을 기억시켜, 다중 프로그래밍 방식으로 동작하는 것을 가능하게 함
  • OS는 사용자 프로그램 각각의 독립된 영역을 보호해 주는 기억 보호 기능 수행
• 사용자 응용 프로그램 영역을 효율적으로 사용하기 위한 고려사항
  • 주기억장치에 한 번에 몇 개의 프로그램을 적재할 것인지를 고려해야 함
  • 한 개의 프로그램만 가능할 수도 있고, 여러 개의 프로그램을 함께 공존시킬 수도 있음
  • 여러 개의 프로그램을 함께 적재할 때, 각 프로그램에 할당되는 공간의 크기를 동일하게 할지 아니면 서로 다르게 할지를 고려해야 함
  • 일정한 크기의 공간이 할당되는 경우 프로그램의 수행이 끝날 때까지 그 크기를 유지할지, 아니면 상황에 따라서 할당한 공간의 크기를 변경할지를 고려해야 함
  • 일정한 크기의 공간을 할당하기로 할 때, 연속한 작은 공간들을 할당할지, 하나의 덩어리로 된 커다란 공간을 할당할지를 고려해야 함

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주기억장치 할당 방법

단일 사용자 할당 기법

• 운영체제가 차지하는 부분을 제외한 나머지 기억 공간의 부분을 한 사용자가 독점 사용하도록 하는 기법

장점

• 사용자에게 융통성을 최대한 제공
• 최대의 단순성, 최소의 비용
• 특별한 하드웨어가 필요 없으며, OS 소프트웨어도 필요 없음

단점

• 사용자가 사용하는 부분 이외의 부분은 낭비가 될 수 있음
• 입력과 출력을 수행하는 동안 주기억장치 내의 프로그램은 CPU를 계속 쓸 수 없기 때문에 유휴 상태가 되므로 활용도가 매우 낮음
• 프로그램이 주기억장치의 용량보다 큰 경우 이를 수행시키기 어려움

고정 분할 할당 기법

• 각 프로그램에 고정된 동일 크기의 분할된 구역을 할당하는 방법

장점

• 프로그램이 적재되고 남은 공간에 다른 프로그램을 적재하여 수행하므로 프로세서와 기억장치 같은 자원의 활용도를 크게 향상시킴
• 동시에 여러 프로그램을 주기억장치에 적재하여 수행하는 다중 프로그래밍 기법이 가능

단점

• 할당되는 저장 공간이 작고 저장될 프로그램이 클 경우에는 프로그램이 작은 단위로 쪼개지는 단편화(Fragmentation)의 문제가 발생
• 프로그램과 할당된 분할 구역의 크기가 일치하지 않으면 프로그램이 점유하고 남은 공간이 생기게 됨

가변 분할 할당 기법

• 단편화를 해결하기 위해 각 작업에 대한 필요한 만큼의 공간만을 할당
• 주기억장치 내에 새로운 프로그램이 들어올 때마다 그 프로그램의 크기에 맞춰 가변적으로 기억 공간을 분할하여 프로그램에 맞는 공간만을 할당

가변 분할 - 기억 장소의 집약

• Memory Compaction
• 주기억장치를 검사하여 빈 영역을 하나의 커다란 빈 영역으로 만드는 방법
• OS는 사용 중인 블록을 한데 모으고, 비어 있는 기억 장소를 하나의 커다란 공백으로 만듦

장점 

• 기억 장소에 분산되었던 공간들을 한 곳에 모음으로써 사용가능한 큰 영역을 만들 수 있음
• 이를 통해 기억 장소의 낭비를 줄일 수 있음

단점

• 기억 장소를 집약하는 동안 전체 시스템은 지금까지 수행해 오던 일들을 일단 중지해야 하며, 집약을 위해 많은 시간이 소모됨
• 수행 중이던 프로그램과 데이터를 주기억장치 내의 다른 장소로 이동시키기 때문에 각각의 위치 및 이에 관계되는 내용을 수정해야 함

가변 분할 - 공백 영역 탐색 알고리즘

최초 적합 (First Fit)

• 여러 유휴 공간들을 차례대로 검색해 나가다가 새로운 프로그램을 저장할 수 있을 만큼의 크기를 가진 부분을 최초로 찾으면 그곳에 할당하는 방법

최적 적합 (Best Fit)

• 여러 공백 중 새로운 프로그램이 요구하는 크기보다 크면서 가장 크기가 비슷한 공간을 채택하여 할당하는 방법
• 매우 작은 공백만 생긴다는 장점을 가짐

최악 적합(Worst Fit)

• 존재하는 여러 공백 중 가장 큰 부분을 찾아 할당
• 프로그램이 할당되고 남은 공간이 크다면, 그 나머지 부분을 다른 프로그램에 할당하여 사용할 수 있음

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주기억장치의 종류

자기 코어 기억장치

• 페라이트(Ferrite)라는 자성 물질로 자화가 쉽고 한번 자화 되면 외부 영향이 없는 한 그 상태를 계속해서 유지하는 매우 우수한 기억장치
• 초기에 많이 사용되던 임의 접근 컴퓨터 기억장치이며 비휘발성
• 저장 정보 전원 공급에 문제가 있거나 소프트웨어가 충돌해도 손실되지 않음
• 저장 원리: 조그마한 자기 세라믹 링에 전류를 흘려보내며 발생하는 자기장으로 정보 저장
• 자기 코어가 실제적인 기억장치를 구성하기 위해서는 행렬 구조로 배치
  • Magnetic Core Matrix
  • 평면으로 된 기판에 가로와 세로 4096 or 16384개
  • 코어 플레인: 한 장의 자기 코어 행렬 면
  • 코어 스택: 코어 플레인을 필요한 만큼 겹쳐 놓은 것

반도체 기억장치

• Semiconductor Memory
• 디지털 시스템에서 주기억장치로 널리 사용됨
• 어느 저장 위치로도 같은 시간에 접근이 가능한 RAM(Random Access Memory)의 형태를 가짐
• 휘발성인 R/W RAM과 비휘발성인 ROM(Read Only Memory)으로 분류

반도체 기억장치의 구조

• 기억장치의 용량
  • 기억장치의 가로 길이에 해당하는 것이 워드(m비트)
  • 기억장치의 세로 길이에 해당하는 것이 워드의 개수(2ⁿ)
• 기억장치 주소 레지스터 MAR
  • 기억장치 접근 시 필요한 워드의 주소를 임시로 저장하는 장치
  • 2ⁿ개의 워드의 주소를 표현하기 위해서는 n비트가 필요
• 기억장치 버퍼 레지스터 MBR
  • 기억장치와 CPU 등의 외부장치 사이에서 전송되는 데이터를 임시로 저장
  • 워드 단위로 데이터를 입출력하므로 m비트가 필요

반도체 기억장치의 동작

• 기억장치는 2진수의 데이터를 저장하고, 필요에 따라 이들을 인출
• 기억장치는 쓰기 동작 - 읽기 동작 - 주소지정 동작이 실행되고, 데이터 버스를 따라 데이터가 이동
• 쓰기 동작: 기억장치에 데이터를 저장하는 동작
• 읽기 동작: 저장되어 있는 데이터를 인출해 요구한 장치로 전달해 주는 동작

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임의 접근 기억장치

• RAM, Random Access Memory
• 반도체 기억장치 중 가장 일반적인 유형
• 크기가 작고 신뢰성이 높으며, 성능이 우수하고 소비 전력이 적음
• 선택된 주소의 데이터를 언제든지 쉽게 쓰고 읽을 수 있음(임의 접근)
• 휘발성 기억장치, 전원 공급 중지되면 저장된 데이터 모두 삭제
• 저장된 모든 데이터에 접근하는데 소요되는 시간이 이전의 접근 순서와는 무관하게 항상 일정
• CPU와 보조기억장치의 사이에서 처리속도 차이를 해결

RAM의 분류

기억 방식에 따른 분류

• 동적 RAM (DRAM, Dynamic RAM)
  • 저장하려고 하는 2진 정보를 충전기에 공급되는 전하의 형태로 보관
  • 전력 소비가 적고 단일 메모리 칩 내에 더 많은 정보를 저장할 수 있음
  • 충전기의 방전 현상으로 인한 정보의 손실을 막기 위해 재충전(refresh) 회로가 필요
• 정적 RAM (SRAM, Static RAM)
  • 주로 2진 정보를 저장하는 내부 회로가 플립플롭으로 구성
  • 저장된 정보는 전원이 공급되는 동안 그대로 보존
  • 사용하기 쉽고 읽기와 쓰기 동작 사이클이 동적 RAM보다 짧음

소자에 따른 분류

• 트랜지스터-트랜지스터 논리(TTL, Transistor-Transistor Logic)의 Bipolar RAM
• 금속 산화막 반도체(MOS, Metal Oxide Semiconductor) RAM
• 바이폴라와 MOS를 조합하여 기억장치 소자를 제작하는 BiMOS RAM

제조상 분류

• 바이폴라 RAM은 SRAM의 기억 방식 형태
• MOS RAM은 SRAM과 DRAM의 두 가지 기억 방식의 형태가 있음
• BiMOS - SRAM

DRAM

• 충전기 캐패시터(capacitor)에 전하를 저장하는 방식
• 충전기에 전하가 존재하는 여부에 따라 2진수의 1과 0 저장을 구분
• 캐패시터에 충전된 전하는 조금씩 방전되므로 기억된 정보를 잃게 됨
• 재충전을 위한 제어회로 탑재
• 동적으로 저장 정보를 재생시키므로 동적(Dynamic)이라는 명칭이 붙음
• DRAM은 고밀도 집적에 유리하며, 전력 소모가 적고, 가격이 낮아 대용량 기억장치에 많이 사용됨

SRAM

• 플립플롭 방식의 기억소자를 가진 임의 접근 기억장치
• 전원 공급이 계속되는 한 저장된 내용을 계속 기억하고 DRAM과 다르게 복잡한 재생 클록이 필요 없음
• SRAM의 구조는 MOS FET 4~6개로 된 플립플롭 기억소자로 구성되어 있어 집적 밀도가 높아 가격이 비싸며, 소용량의 메모리에 사용
• DRAM보다 처리속도가 5배 정도 빨라 캐시메모리에 주로 사용

RAM 칩 논리

• RAM과 같은 반도체 기억장치는 하나의 IC칩으로 제공되며, 이 칩에는 기억소자들의 배열을 포함함
• 반도체 기억장치를 설계할 때 한 번에 읽고 쓸 수 있는 데이터의 비트 수는 중요한 고려 대상
• 기억소자들의 배열 조직이 B개의 비트들로 이루어진 W개의 단어들로 구성된다고 하면 'W × B bit'로 표현

RAM 칩 패키징

• 칩 패키징은 신호의 입력과 출력을 위한 연결 핀들이 포함됨
• 기억장치 칩 패키징 내에 W개의 단어가 있다고 하면 주소 핀의 개수는 log₂W개로 정의됨
• 데이터 핀, 전원 공급 핀(Vcc), 접지 핀(Vss), 칩 선택 핀(CE, Chip Enable) 등이 포함됨

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읽기 전용 기억장치

• ROM, Read Only Memory
• 저장된 명령이나 데이터를 단지 읽기만 할 수 있는 기억장치
• 새롭게 데이터를 추가하거나 재기록하는 쓰기 동작 불가능
• 전원 공급이 중단되어도 저장된 데이터는 지워지지 않고 유지할 수 있기 때문에 비휘발성 기억장치로 분류
• 시스템 동작에 사용되는 표·변환·명령어 프로그램 등과 같이 반복적으로 쓰는 데이터를 저장하는 데 사용

ROM의 구성

• 주소 입력을 통한 데이터를 읽을 위치를 결정하게 하는 주소 디코더가 존재하고 이것은 기억장치의 배열과 연결됨
• OR 게이트의 연결 관계를 통해 기억장치 배열 형성
• ROM에 저장된 데이터는 OR 게이트의 고정된 연결로 표현되고, 변경은 불가능해서 항상 동일하게 출력
• 결과적으로 읽기만 가능하고 비휘발성인 ROM의 특성을 잘 만족함
• OR 게이트의 수는 ROM의 출력선의 수와 동일함

ROM의 분류

소자에 따른 분류

• 트랜지스터-트랜지스터 논리(TTL)의 Bipolar ROM
• 금속 산화막 반도체(MOS) ROM

제조상 분류

• Bipolar
  • Mask ROM
  • PROM
• MOS
  • Mask ROM
  • SROM
  • EPROM
    • UV EPROM
    • EEPROM

Mask ROM

• ROM 제작사 측에서 저장 데이터에 맞게 회로를 구성해서 만들어 놓았기 때문에 내용 변경 불가능
• Mask ROM에 데이터를 집어넣기 위해서는 반드시 반도체 회사에 주문해 특별히 만들어야 함
• 한 번의 기록으로 더 이상 데이터를 변경할 수 없기 때문에 일반적으로 컴퓨터의 주 메모리로 사용하는 것은 불가능

PROM

• Programmable ROM
• 사용자가 특별한 장비인 PROM Writer를 사용하여 필요한 논리 기능을 직접 기록할 수 있음
• 최초의 PROM은 1회에 한해서 새로운 내용으로 변경할 수 있는 ROM
• 한 번 기록한 내용을 변경하거나 삭제할 수 없음

EPROM

• Erasable PROM
• 필요할 때마다 기억된 내용을 지우고 다른 새로운 내용을 기록할 수 있음
• 레이저를 이용한 ROM Writer를 사용하면 새로운 데이터의 쓰기가 가능
• 데이터를 입력하는 쓰기 동작은 PROM과 동일하고, 상단의 창에 자외선을 쏘이면 내용이 삭제되므로 새롭게 데이터를 다시 쓸 수 있음
• 저장된 데이터들을 삭제하는 방법에 따라 UV EPROM과 EEPROM으로 구분
• UV EPROM
  • 칩 중앙부에 동그란 유리창이 놓여있고 이 창을 통해 일정시간 자외선을 쏘여주면 내부에 기록되어 있는 데이터가 삭제됨
• EEPROM
  • 전기적으로만 지울 수 있는 PROM, 칩의 한 핀에 전기적 신호를 가해주면 내부 데이터가 지워짐
  • 전기 신호를 사용하므로 훨씬 편리한 점이 많지만, 가격이 월등히 비싸며 쓰기/지우기 속도가 느림

플래시 메모리

• EEPROM의 한 종류이지만 EEPROM과는 다르게 블록 단위로 데이터를 입력함
• 읽기와 쓰기 동작이 자유로운 편이어서 RAM과 ROM의 중간적인 위치
• 데이터를 읽는 과정은 일반 RAM과 비슷하게 설계할 수 있지만 데이터를 써넣기 위해서는 시간이 상당히 오래 걸리며, RAM처럼 쉽게 설계할 수 없음
  • RAM: 데이터를 읽고 쓸 수 있는 횟수에 거의 제한이 없어 칩의 수명이 다하는 동안까지 사용 가능
  • 플래시 메모리: 10만~100만 번 이상의 쓰기를 한 후에는 데이터를 더 이상 쓸 수 없음

• 작은 카드 크기의 보조기억장치로 만들어 하드디스크 대신 사용
  • 접근 속도가 하드디스크보다 훨씬 고속, 쓰기 속도에 비해 읽기 속도가 빠름
  • 반도체 기억장치이기 때문에 외부충격에 매우 강함

• SSD(Solid State Drive)
  • 전통적인 HDD 대신 플래시 메모리라는 반도체 소자를 이용해서 하드디스크를 만든 것
  • 기존 HDD에 비해 소음과 열이 없고 전력 사용량이 획기적으로 감소, 읽기와 쓰기 등의 속도가 매우 빨라짐

ROM 칩 패키징

• 칩 패키징은 신호의 입력과 출력을 위한 연결 핀들이 포함됨
• 칩 패키징 내에 W개의 단어가 있다고 하면 주소 핀의 개수는 log₂W개로 정의됨
• 데이터 핀, 전원 공급 핀(Vcc), 접지 핀(Vss), 칩 선택 핀(CE, Chip Enable) 등이 포함됨

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기억장치의 확장

• 여러 개의 기억장치 칩으로 더 큰 용량의 기억장치를 설계하는 것
• ① 워드의 수는 그대로 유지하고 워드의 길이를 확장하는 방법
• ② 워드의 길이는 그대로 유지하면서 워드의 수를 증가시켜 확장하는 방법

워드 길이의 확장

• 늘어난 길이만큼 데이터 버스의 비트 수를 늘려야 함
• 원하는 워드의 용량 및 워드의 길이를 얻기 위해서 몇 개의 기억장치 칩이 조합될 때, MAR·MDR(Memory Data Register)·제어장치 등의 주변 장치들이 기억장치를 적절하게 활용함
• 기억장치 칩들의 주소버스와 제어버스는 공통 신호를 사용하고, 여러 워드를 순차적으로 연결하여 워드의 용량을 유지하면서 워드의 길이를 확장할 수 있음
• 기억장치 칩들의 칩 선택 신호는 제어 버스를 통해 공통으로 연결됨
• 각 기억장치 칩의 선택을 통해서 주소를 확장하고 워드의 용량을 확장할 수 있음

워드 용량의 확장

• 기억장치 칩들의 칩 선택 신호는 제어 버스를 통해 공통으로 연결됨
• 각 기억장치 칩의 선택을 통해서 주소를 확장하고 워드의 용량을 확장할 수 있음